5月25日，北京市科委、順義區(qū)政府、國家半導體照明聯(lián)盟聯(lián)合舉行北京第三代半導體材料及應用聯(lián)合創(chuàng)新基地共建工作會。
會上，舉行了荷蘭代爾夫特理工大學與順義區(qū)政府簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議，同時舉行了第三代半導體聯(lián)合創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)孵化中心揭牌儀式。科技部副部長曹健林、北京市科委副主任朱世龍、順義區(qū)區(qū)長盧映川、荷蘭駐華大使賈高博、北京科技協(xié)作中心主任季小兵、北京市科委委員王建新等領(lǐng)導出席會議。國家半導體照明聯(lián)盟秘書長、科技部第三代半導體重點專項總體組專家吳玲研究員，科技部“半導體照明重點專項”總體組專家李晉閩研究員、沈波教授等及首都創(chuàng)新大聯(lián)盟各成員聯(lián)盟、第三代半導體領(lǐng)域企業(yè)代表100人參加會議，此次會議的召開標志著北京第三代半導體材料及應用聯(lián)合創(chuàng)新基地的建設(shè)又邁上了新臺階。
代爾夫特理工大學與順義區(qū)政府戰(zhàn)略合作框架協(xié)議的簽訂，標志著第三代半導體材料及應用聯(lián)合創(chuàng)新基地引進國際優(yōu)勢創(chuàng)新資源、匯聚全球創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)人才取得新進展，將充分發(fā)揮北京突出的科技資源優(yōu)勢和獨特的國際交往優(yōu)勢，從全國科技創(chuàng)新中心建設(shè)的高度對聯(lián)合創(chuàng)新基地的發(fā)展進行科學規(guī)劃和布局，打造立足北京、輻射全國、引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的國際化第三代半導體開放式創(chuàng)新環(huán)境。
第三代半導體聯(lián)合創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)孵化中心集成了開放式的公共研發(fā)平臺以及中試技術(shù)平臺，并吸收了首都創(chuàng)新大聯(lián)盟廣大成員企業(yè)參加，有利于通過創(chuàng)客