聯(lián)合共贏，搶占戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)制高點-----第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟發(fā)起成立<

日期：2015年09月23日 來源：科技部

2015年9月9日下午，在國家科技部、工信部、北京市科委的支持下，由第三代半導體相關的科研機構、大專院校、龍頭企業(yè)自愿發(fā)起籌建的“第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟”（以下簡稱“聯(lián)盟”）在北京國際會議中心舉行了成立大會。

科技部曹健林副部長、高新司趙玉海司長、科技部高技術研究發(fā)展中心秦勇主任，北京市科學技術委員會閆傲霜主任，中國科學與科技政策研究會李新男副理事長等領導出席了成立大會。南京大學鄭有炓院士代表41家發(fā)起機構單位正式宣布第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟成立。科技部曹健林副部長、南京大學鄭有炓院士、北京市科學技術委員會閆傲霜主任、北京半導體照明科技促進中心吳玲主任共同為聯(lián)盟揭牌。

會議同期，召開了聯(lián)盟第一屆理事會第一次工作會，進行了理事長、秘書長的選舉。吳玲當選為聯(lián)盟首屆理事長，北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司呂志輝總裁當選為聯(lián)盟秘書長。理事會邀請曹健林副部長出任顧問委員會主任，、鄭有炓院士為名譽理事長，提名中國科學院半導體研究所、北京大學、南京大學、西安電子科技大學、三安光電股份有限公司、國網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院、中興通訊股份有限公司、蘇州能訊高能半導體有限公司、山東天岳先進材料科技有限公司等第三代半導體創(chuàng)新鏈上條上的重要機構作為副理事長單位。

第三代半導體材料是近年來迅速發(fā)展起來的以GaN、SiC為代表的新型半導體材料，具有禁帶寬度大，、擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高及、抗輻射能力強的等優(yōu)點，是固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導體照明、新一代移動通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域有廣闊的應用前景，可望成為支撐信息、能源、交通、國防等重點產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重點新材料，正在成為全球半導體產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略高地。

第三代半導體材料及器件的突破將引發(fā)科技變革并重塑國際半導體產(chǎn)業(yè)格局。，美、日、歐、韓等發(fā)達國家高度重視并已部署國家相關計劃搶占戰(zhàn)略制高點。我國政府也十分重視第三代半導體材料與及器件的研發(fā)與及產(chǎn)業(yè)化，在科技部等部委的持續(xù)部署支持下，我國材料研發(fā)的整體水平與國際上差距不大，半導體照明作為在第三代半導體的材料首個第一個產(chǎn)業(yè)化的應用方向方面——半導體照明已經(jīng)在關鍵技術上實現(xiàn)突破，創(chuàng)新應用處于國際領先水平；此外，在第三代半導體電子器件應用方面，在移動通訊、光伏逆變、雷達等領域已有少量示范應用。

第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的成立，對推動我國第三代半導體材料及器件研發(fā)和相關產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義。聯(lián)盟將發(fā)起的目的主要是圍繞產(chǎn)業(yè)鏈構建創(chuàng)新鏈，促進產(chǎn)學研合作以及跨界應用的開放協(xié)同創(chuàng)新，推動產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系的建設，培育形成一批擁有自主知識產(chǎn)權、知名品牌和市場競爭力強的骨干企業(yè)群，形成全國一盤棋的發(fā)展合力，抓住換道超車的歷史性機遇，形成全國一盤棋的發(fā)展合力，實現(xiàn)創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展，搶占在國際第三代半導體上搶占產(chǎn)業(yè)發(fā)展制高點，重構全球半導體產(chǎn)業(yè)格局。