趙有文，男，博士，現(xiàn)任中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員，博士生導(dǎo)師。

主要從事磷化銦、銻化鎵等化合物單晶材料生長(zhǎng)技術(shù)、材料缺陷和材料在光電子和微電子器件上應(yīng)用的研究。

教育經(jīng)歷： 

1996-08--1999-08   香港大學(xué)   理學(xué)博士

1986-09--1989-03   河北半導(dǎo)體研究所   工學(xué)碩士學(xué)位

1982-09--1986-07   蘭州大學(xué)   理學(xué)學(xué)士學(xué)位

工作經(jīng)歷：

2000-03~2011-08,中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所, 研究員

1996-08~1999-08,香港大學(xué), 理學(xué)博士

1989-03~1996-07,河北半導(dǎo)體研究所, 工程師

1986-09~1989-03,河北半導(dǎo)體研究所, 工學(xué)碩士學(xué)位

1982-09~1986-07,蘭州大學(xué), 理學(xué)學(xué)士學(xué)位

參與會(huì)議：

（1）C-H complex defects and their influnce in InAs single crystal   2017-10-08 

講授課程：

半導(dǎo)體材料

招生專(zhuān)業(yè)：

080501-材料物理與化學(xué)

招生方向：

化合物半導(dǎo)體單晶材料生長(zhǎng)

缺陷與雜質(zhì)

材料物理

研究生培養(yǎng)：

培養(yǎng)研究生數(shù)十名。

主要研究領(lǐng)域：

寬禁帶半導(dǎo)體ZnO和AlN單晶材料生長(zhǎng)、缺陷和物性研究；冶金法提純多晶硅技術(shù)及應(yīng)用開(kāi)發(fā)；高效太陽(yáng)電池用低位錯(cuò)Ge單晶生長(zhǎng)與缺陷控制；大直徑InAs單晶生長(zhǎng)及材料性質(zhì)。

承擔(dān)科研項(xiàng)目情況：

（ 1 ） 新型中長(zhǎng)波紅外探測(cè)器襯底GaSb和InAs單晶材料制備及應(yīng)用, 主持, 市地級(jí), 2018-03--2020-12

（ 2 ） 面向紅外探測(cè)應(yīng)用的GaSb單晶雜質(zhì)、缺陷及物性研究, 主持, 國(guó)家級(jí), 2015-01--2018-12

（ 3 ） 4-6英寸InP單晶VGF生長(zhǎng)技術(shù), 主持, 院級(jí), 2017-03--2019-12

（ 4 ） 高質(zhì)量GaSb單晶襯底加工技術(shù)及紅外探測(cè)應(yīng)用, 主持, 市地級(jí), 2017-08--2018-12

（ 5 ） 磷化銦材料, 主持, 國(guó)家級(jí), 2019-10--2022-09

（ 6 ） 高純磷化銦多晶制備技術(shù)及晶園襯底制備, 主持, 院級(jí), 2020-01--2020-12

主要學(xué)術(shù)成績(jī)：

通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究揭示了原生磷化銦材料中氫-銦空位復(fù)合體缺陷的形成規(guī)律以及與材料電學(xué)補(bǔ)償和熱生缺陷的關(guān)系。通過(guò)研究和比較純磷和磷化鐵氣氛下高溫退火處理磷化銦材料后產(chǎn)生的深能級(jí)缺陷，發(fā)現(xiàn)了與退火過(guò)程中原子擴(kuò)散有關(guān)的缺陷產(chǎn)生與抑制現(xiàn)象并給出了物理解釋。在此基礎(chǔ)上證明這些深能級(jí)缺陷大部分與銦空位有關(guān)。同時(shí)掌握了抑制深能級(jí)缺陷產(chǎn)生、制備高質(zhì)量半絕緣磷化銦材料的物理機(jī)理和技術(shù)途徑。對(duì)影響晶體完整性的因素進(jìn)行了全面的分析研究，包括微缺陷的成因、結(jié)構(gòu)位錯(cuò)的形成原因以及所產(chǎn)生的晶格畸變、點(diǎn)缺陷對(duì)晶格完整性的影響等。這些研究成果有效促地進(jìn)了高質(zhì)量磷化銦等材料單晶生長(zhǎng)技術(shù)和單晶襯底制備技術(shù)的提高。

1 化合物半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)用高純石英器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化 濮陽(yáng)坤;趙有文;張堯;陶明頓;龐海濤;李?lèi)?ài)霞 連云港福東正佑照明電器有限公司 2017 

2 6英寸VGF法鍺單晶片生產(chǎn)關(guān)鍵工藝技術(shù)研究 惠峰;李蘇濱;柳廷龍;鐘文;李雪峰;呂春富;董汝昆;肖祥江;趙有文;高永亮;董志遠(yuǎn);趙燕;張丹;段鑫敏;李明宣 云南中科鑫圓晶體材料有限公司 2016  

3 以冷坩堝技術(shù)為寄出的光伏級(jí)多晶硅工業(yè)試驗(yàn) 董志遠(yuǎn);趙有文;楊俊;王俊;段滿龍;楊鳳云;霍佃鑫;胡雪松;劉彤;羅龍 包頭市山晟新能源有限責(zé)任公司 2012  

4 深紫外LED用AlGaN材料生長(zhǎng)研究 王軍喜;趙有文;劉喆;閆建昌;馬平 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 2008  

5 半導(dǎo)體光電功能材料磷化銦、氮化鎵和氧化鋅的特性研究 許小亮;趙有文;施朝淑 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2003  

6 Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體電學(xué)輸運(yùn)和發(fā)光特性的研究 許小亮;趙有文;施朝淑;劉洪圖 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2003

制定標(biāo)準(zhǔn)：

1 磷化銦多晶 GB/T 36706-2018 2019-07-17 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn) 

2 LED外延芯片用磷化鎵襯底 GB/T 30855-2014 2015-04-30 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn) 

3 LED外延芯片用砷化鎵襯底 GB/T 30856-2014 2015-04-30 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn) 

4 太陽(yáng)能電池用砷化鎵單晶 GB/T 25075-2010 2012-03-13 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn) 

5 化合物半導(dǎo)體拋光晶片亞表面損傷的反射差分譜測(cè)試方法 GB/T 26070-2010 2012-03-13 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn) 

發(fā)明專(zhuān)利：  

[1]劉麗杰,趙有文,段滿龍,劉鵬,王書(shū)怡. 一種磷化銦晶片的清洗方法[P]. CN113690128A,2021-11-23.

[2]趙有文,段滿龍,劉鵬,盧偉,楊俊,劉京明,謝輝. 一種基于VGF法的氣相摻雜的晶體生長(zhǎng)方法[P]. CN111041550B,2021-10-12.

[3]何建軍,趙有文,沈桂英,劉京明. 一種硅磷合金的制備方法[P]. CN113371714A,2021-09-10.

[4]牛智川,李農(nóng),劉冰,徐應(yīng)強(qiáng),王國(guó)偉,蔣洞微,吳東海,郝宏玥,趙有文,朱小貴,何勝. 在GaSb襯底上生長(zhǎng)InAs層的生長(zhǎng)速度測(cè)定方法[P]. CN113358677A,2021-09-07.

[5]周媛,趙有文,謝輝,楊俊,沈桂英,劉京明. 一種去除銻化鎵單晶片殘余應(yīng)力的退火方法[P]. CN112899790A,2021-06-04.

[6]劉京明,趙有文. 一種低濃度P型磷化銦單晶的制備方法[P]. CN109629003B,2021-05-28.

[7]趙有文,段滿龍. 對(duì)VGF法生產(chǎn)的InP晶錠進(jìn)行籽晶、引晶及結(jié)晶情況判定的方法[P]. CN109629002B,2021-03-16.

[8]沈桂英,趙有文,孫靜,劉京明,余丁,謝輝. 砷化銦單晶片位錯(cuò)腐蝕液及位錯(cuò)腐蝕檢測(cè)方法[P]. CN110205681B,2020-12-15.

[9]趙有文,沈桂英,段滿龍,楊俊,盧偉,劉鵬. 基于VGF法晶體生長(zhǎng)用石英封帽以及晶體生長(zhǎng)裝置[P]. CN211620660U,2020-10-02.

[10]謝輝,趙有文,董志遠(yuǎn),劉京明. 一種降低半絕緣磷化銦單晶摻鐵濃度的方法[P]. CN108456928B,2020-09-22.

[11]白永彪,趙有文,沈桂英,董志遠(yuǎn),劉京明,謝暉,余丁. 籽晶保護(hù)裝置及單晶生長(zhǎng)方法[P]. CN108546986B,2020-09-15.

[12]劉彤,楊俊,劉京明,董志遠(yuǎn),趙有文. 一種銻化鎵單晶拋光片的清洗方法[P]. CN105405746B,2020-09-11.

[13]趙有文,盧偉,段滿龍,楊俊,劉京明. 一種基于VGF法的晶體生長(zhǎng)用雙層壁坩堝[P]. CN211005709U,2020-07-14.

[14]趙有文,段滿龍,盧偉,楊俊,劉京明. 一種晶體生長(zhǎng)裝置[P]. CN211005717U,2020-07-14.

[15]余丁,趙有文,白永彪,沈桂英,董志遠(yuǎn),劉京明,謝輝. 背表面場(chǎng)GaSb熱光伏電池及其制備方法[P]. CN108831933B,2020-05-12.

[16]趙有文,段滿龍,劉鵬,盧偉,楊俊,劉京明,謝輝. 一種基于VGF法的氣相摻雜的晶體生長(zhǎng)方法[P]. CN111041550A,2020-04-21.

[17]孫靜,趙有文,謝輝,沈桂英,董志遠(yuǎn),劉京明,周媛. 摻硫砷化銦體單晶片、其腐蝕方法及腐蝕劑[P]. CN110965129A,2020-04-07.

[18]趙有文,沈桂英,段滿龍,楊俊,盧偉,劉鵬. 基于VGF法晶體生長(zhǎng)用石英封帽、晶體生長(zhǎng)裝置及晶體生長(zhǎng)工藝[P]. CN110952133A,2020-04-03.

[19]段滿龍,趙有文,楊俊,劉京明,盧偉. 一種晶體生長(zhǎng)后的退火及脫鍋方法以及晶體制備方法[P]. CN110725008A,2020-01-24.

[20]段滿龍,趙有文. 晶體生長(zhǎng)的加熱裝置及生長(zhǎng)裝置[P]. CN209584423U,2019-11-05.

[21]趙有文,段滿龍. 晶體生長(zhǎng)用雙層坩堝[P]. CN209537670U,2019-10-25.

[22]沈桂英,趙有文,孫靜,劉京明,余丁,謝輝. 砷化銦單晶片位錯(cuò)腐蝕液及位錯(cuò)腐蝕檢測(cè)方法[P]. CN110205681A,2019-09-06.

[23]陶明頓,濮陽(yáng)坤,趙有文,龐海濤,張堯. 一種紫色石英管及其制備方法[P]. CN106186685B,2019-06-28.

[24]李雪峰,趙有文. 改善晶片主定位邊立面加工中出現(xiàn)缺陷的方法[P]. CN109808085A,2019-05-28.

[25]陶明頓,濮陽(yáng)坤,趙有文,龐海濤,張堯. 一種黃色石英管及其制備方法[P]. CN106219970B,2019-05-21.

[26]陶明頓,濮陽(yáng)坤,趙有文,龐海濤,張堯. 一種灰色石英管及其制備方法[P]. CN106219971B,2019-05-21.

[27]陶明頓,濮陽(yáng)坤,趙有文,龐海濤,張堯. 一種紅色石英管及其制備方法[P]. CN106219972B,2019-05-21.

[28]趙有文,段滿龍. 對(duì)VGF法生產(chǎn)的InP晶錠進(jìn)行籽晶、引晶及結(jié)晶情況判定的方法[P]. CN109629002A,2019-04-16.

[29]劉京明,趙有文. 一種低濃度P型磷化銦單晶的制備方法[P]. CN109629003A,2019-04-16.

[30]段滿龍,趙有文. 晶體生長(zhǎng)的加熱裝置及生長(zhǎng)裝置[P]. CN109594124A,2019-04-09.

[31]謝輝,趙有文. 一種晶體生長(zhǎng)方法[P]. CN109576776A,2019-04-05.

[32]趙有文,段滿龍. 晶體生長(zhǎng)用雙層坩堝及晶體生長(zhǎng)工藝[P]. CN109576777A,2019-04-05.

[33]余丁,趙有文,白永彪,沈桂英,董志遠(yuǎn),劉京明,謝輝. 背表面場(chǎng)GaSb熱光伏電池及其制備方法[P]. CN108831933A,2018-11-16.

[34]白永彪,趙有文,沈桂英,董志遠(yuǎn),劉京明,謝暉,余丁. 籽晶保護(hù)裝置及單晶生長(zhǎng)方法[P]. CN108546986A,2018-09-18.

[35]謝輝,趙有文,董志遠(yuǎn),劉京明. 一種提高半絕緣磷化銦單晶片電阻率均勻性的方法[P]. CN108486658A,2018-09-04.

[36]謝輝,趙有文,董志遠(yuǎn),劉京明. 一種降低半絕緣磷化銦單晶摻鐵濃度的方法[P]. CN108456928A,2018-08-28.

[37]謝輝,趙有文,董志遠(yuǎn),劉京明. 一種降低半絕緣磷化銦單晶深能級(jí)補(bǔ)償缺陷的方法[P]. CN108385167A,2018-08-10.

[38]沈桂英,趙有文,白永彪,劉京明,謝輝. 一種制備P型錳摻雜的砷化銦單晶的方法[P]. CN108085744A,2018-05-29.

[39]段滿龍,董志遠(yuǎn),趙有文,楊俊. 一種磷化銦的合成方法及其合成裝置[P]. CN107937984A,2018-04-20.

[40]趙有文,王俊,董志遠(yuǎn),劉京明. 用于磷化銦晶片的下盤(pán)方法[P]. CN107910246A,2018-04-13.

[41]趙有文,董志遠(yuǎn),楊俊,段滿龍. 富銦磷化銦多晶料的循環(huán)利用方法[P]. CN107829141A,2018-03-23.

[42]趙有文,段滿龍,盧偉,謝輝. 消除InP晶片微缺陷的方法[P]. CN107829142A,2018-03-23.

[43]趙有文,劉京明,段滿龍,董志遠(yuǎn),劉剛. 一種晶片研磨裝置[P]. CN107756232A,2018-03-06.

[44]段滿龍,趙有文,楊俊,盧偉. 一種摻鐵磷化銦單晶片的退火方法[P]. CN107675262A,2018-02-09.

[45]趙有文,段滿龍. 磷化銦多晶水平合成裝置[P]. CN206916255U,2018-01-23.

[46]蘇杰,劉彤,劉京明,趙有文. 采用閉管化學(xué)氣相傳輸方式生長(zhǎng)Ga2O3單晶的方法[P]. CN107400919A,2017-11-28.

[47]陳曉玉,趙有文. 太陽(yáng)能電池減反鈍化膜及其制備方法及太陽(yáng)能電池片[P]. CN107068774A,2017-08-18.

[48]楊翠柏,趙有文,段滿龍,楊光輝,劉剛,劉京明,楊風(fēng)云. 磷化銦晶錠切割(100)晶片的方法[P]. CN106863628A,2017-06-20.

[49]楊翠柏,趙有文,方聰,王鳳華,董志遠(yuǎn),高永亮,王俊. 熔區(qū)附加磁場(chǎng)裝置及具有其的VGF單晶生長(zhǎng)爐[P]. CN206204471U,2017-05-31.

[50]楊翠柏,趙有文,段滿龍,陳丙振,劉彤,盧偉,楊俊. 磷化銦多晶水平合成裝置及壓力平衡控制方法[P]. CN106757360A,2017-05-31.

[51]楊翠柏,趙有文,方聰,王鳳華,董志遠(yuǎn),高永亮,王俊. 熔區(qū)附加磁場(chǎng)裝置及具有其的VGF單晶生長(zhǎng)爐[P]. CN106498487A,2017-03-15.

[52]陶明頓,濮陽(yáng)坤,趙有文,龐海濤,張堯. 一種黃色石英管及其制備方法[P]. CN106219970A,2016-12-14.

[53]陶明頓,濮陽(yáng)坤,趙有文,龐海濤,張堯. 一種灰色石英管及其制備方法[P]. CN106219971A,2016-12-14.

[54]陶明頓,濮陽(yáng)坤,趙有文,龐海濤,張堯. 一種紅色石英管及其制備方法[P]. CN106219972A,2016-12-14.

[55]趙有文,段滿龍,尹朝蓉,尹文斌,孫勇. 一種棒狀砷的制備方法[P]. CN106222452A,2016-12-14.

[56]陶明頓,濮陽(yáng)坤,趙有文,龐海濤,張堯. 一種紫色石英管及其制備方法[P]. CN106186685A,2016-12-07.

[57]龐海濤,趙有文,濮陽(yáng)坤,莊子柱,王婧姝,李駿. 石英連熔爐芯桿氣壓穩(wěn)定裝置[P]. CN205710395U,2016-11-23.

[58]劉京明,劉彤,董志遠(yuǎn),趙有文. 一種控制GaSb單晶襯底表面顆粒度的方法[P]. CN106119972A,2016-11-16.

[59]劉京明,劉彤,董志遠(yuǎn),趙有文. 一種GaSb單晶襯底表面化學(xué)鈍化的方法[P]. CN106057663A,2016-10-26.

[60]龐海濤,趙有文,濮陽(yáng)坤,莊子柱,王婧姝,李駿. 石英連熔爐芯桿氣壓穩(wěn)定裝置[P]. CN105923980A,2016-09-07.

[61]劉京明,楊俊,劉彤,董志遠(yuǎn),趙有文. 一種生長(zhǎng)氮化鋁單晶用坩堝[P]. CN205223407U,2016-05-11.

[62]劉京明,劉彤,楊俊,董志遠(yuǎn),趙有文. 一種氮化鋁單晶的位錯(cuò)腐蝕方法[P]. CN105483833A,2016-04-13.

[63]劉彤,楊俊,劉京明,董志遠(yuǎn),趙有文. 一種銻化鎵單晶拋光片的清洗方法[P]. CN105405746A,2016-03-16.

[64]劉彤,楊俊,劉京明,董志遠(yuǎn),趙有文. 一種銻化鎵單晶拋光片腐蝕液[P]. CN105349290A,2016-02-24.

[65]曹可慰,趙有文. 偏[111]晶向鍺單晶片位錯(cuò)顯示用腐蝕液及腐蝕方法[P]. CN104862702A,2015-08-26.

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[68]劉京明,劉彤,楊俊,董志遠(yuǎn),趙有文. 一種用于高溫氣相法晶體生長(zhǎng)的TaC坩堝的制備方法[P]. CN103643305A,2014-03-19.

[69]劉京明,趙有文,王鳳華,楊鳳云. 降低襯底表面殘留雜質(zhì)濃度的方法[P]. CN103021833A,2013-04-03.

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[71]陳騰,趙有文. 多晶硅堿性制絨方法[P]. CN102437044A,2012-05-02.

[72]趙有文,惠峰,高永亮,朱蓉輝. 半導(dǎo)體晶片精密化學(xué)機(jī)械拋光劑[P]. CN102234484A,2011-11-09.

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[77]趙有文,惠峰,高永亮,朱蓉輝. 擴(kuò)散型兆聲波清洗槽[P]. CN201720213U,2011-01-26.

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[130]程雨; 陶東言; 劉京明; 蘇杰; 劉彤; 董志遠(yuǎn); 趙有文*.GaSb 晶片表面殘留雜質(zhì)分析

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榮譽(yù)獎(jiǎng)勵(lì)：

（1） 磷化銦單晶缺陷, 二等獎(jiǎng), 省級(jí), 2010

（2） InP和ZnO材料缺陷研究, 一等獎(jiǎng), 部委級(jí), 2003

（3） 化合物半導(dǎo)體InP, 二等獎(jiǎng), 國(guó)家級(jí), 2002