日期:2015-08-20 09:44
狀態:待解決
提問:kjcxac
展提供關鍵材料支撐。
1．核心設備的突破
中紅外晶體合成與生長氣壓高、組分偏析嚴重、各向異性大、極易開裂與產生孿晶，對制備設備要求很高，目前國內外無商用的紅外晶體制備專用設備。
根據中紅外晶體合成與生長特性，自行設計熱場，研制出具有知識產權的多段高精密控制中紅外晶體合成爐（圖1）、垂直和水平兩類單晶生長爐（圖2）以及器件退火爐等系列關鍵設備，成功實現中紅外晶體核心制備設備的國產化，該系列設備具有控溫精度高、溫場調節方便、熱場穩定性好、自動化程度高等特點，適合用于工程化推廣。
2．關鍵工藝的突破
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